FDMQ8203,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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FDMQ8203 - 

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

Fairchild/ON Semiconductor FDMQ8203
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDMQ8203
仓库库存编号：
FDMQ8203CT-ND
描述：
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FDMQ8203产品属性


产品规格
  封装/外壳  12-WDFN 裸露焊盘  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  GreenBridge?? PowerTrench?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  12-MLP（5x4.5）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  110 毫欧 @ 3A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.4A，2.6A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  210pF @ 50V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  100V，80V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 FDMQ8203
标准包装 1
其它名称 FDMQ8203CT

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