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FDMS2D4N03S - 

PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF

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Fairchild/ON Semiconductor FDMS2D4N03S
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDMS2D4N03S
仓库库存编号：
FDMS2D4N03S-ND
描述：
PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDMS2D4N03S产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerSMD，扁平引线  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-PQFN（5x6），Power56  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  88nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.8 毫欧 @ 28A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  163A (Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6540pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  75W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
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产品资料
数据列表 FDMS2D4N03S
标准包装 3,000

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FDMS2D4N03S
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MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

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MOSFET PT9 30V/16V NCH ERTREN MO

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N-Channel MOSFET PowerTrench SyncFET

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PT9 30V/16V Nch PowerTrench Mosfet - Tape and Reel (Alt: FDMS2D4N03S)

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Fairchild/ON Semiconductor - FDMS2D4N03S - PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF		Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56

型号：FDMS2D4N03S
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