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FDMS3572
FDMS3572 -
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDMS3572
仓库库存编号:
FDMS3572CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDMS3572产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerWDFN
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
UltraFET??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
Power56
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
40nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
16.5 毫欧 @ 8.8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.8A(Ta),22A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2490pF @ 40V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),78W(Tc)
漏源电压(Vdss)
80V
关键词
产品资料
数据列表
FDMS3572
标准包装
1
其它名称
FDMS3572CT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-E3CT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 UltraFET??
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 Power56
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16.5 毫欧 @ 8.8A,10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),78W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 80V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 80V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V
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