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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	PowerTrench?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	Power56
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	27nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	5.6 毫欧 @ 15A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15A，30A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1770pF @ 13V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.7V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	25V
功率 - 最大值	2.2W，2.5W
关键词

产品资料

数据列表	FDMS3600AS
标准包装	1
其它名称	FDMS3600ASCT

封装/外壳 8-PowerTDFN  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerTrench?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 PowerTrench?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 PowerTrench?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 Power56  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 Power56  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 Power56  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 Power56   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.6 毫欧 @ 15A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.6 毫欧 @ 15A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.6 毫欧 @ 15A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.6 毫欧 @ 15A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A，30A  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A，30A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A，30A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A，30A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 13V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 13V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 13V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 13V   FET 功能 逻辑电平门  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 25V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V   功率 - 最大值 2.2W，2.5W  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 2.2W，2.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.2W，2.5W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.2W，2.5W