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FDP61N20
FDP61N20 -
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDP61N20
仓库库存编号:
FDP61N20-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 61A(Tc) 417W(Tc) TO-220-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDP61N20产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
UniFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
75nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
41 毫欧 @ 30.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
61A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3380pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
417W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP33N25
仓库库存编号:
FDP33N25-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP52N20
仓库库存编号:
FDP52N20-ND
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 UniFET??
Fairchild/ON Semiconductor 系列 UniFET??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 UniFET??
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 UniFET??
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 417W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 200V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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