FDPF045N10A,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDPF045N10A
FDPF045N10A -
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDPF045N10A
仓库库存编号:
FDPF045N10A-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 67A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDPF045N10A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220F-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
74nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.5 毫欧 @ 67A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
67A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5270pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
43W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
FDPF045N10A
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
SUM110N06-3M9H-E3
仓库库存编号:
SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
别名:SUM110N06-3M9H-E3CT
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
1727-5291-ND
别名:1727-5291
568-6719
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568-6719-5-ND
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型号:
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仓库库存编号:
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型号:
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