FDPF5N60NZ,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDPF5N60NZ
FDPF5N60NZ -
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDPF5N60NZ
仓库库存编号:
FDPF5N60NZ-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDPF5N60NZ产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
UniFET-II??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220F
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 2.25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
33W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
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产品资料
数据列表
FDP(F)5N60NZ
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
DDZ15-7DICT-ND
别名:DDZ15-7DICT
无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 205W(Tc) TO-220-3
型号:
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仓库库存编号:
FDP030N06B_F102-ND
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:AS431AZTR-E1DICT
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型号:
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:AP2204R-3.3TRG1DICT
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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