FDS4953,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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FDS4953
FDS4953 -
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDS4953
仓库库存编号:
FDS4953CT-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDS4953产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
55 毫欧 @ 5A,10V
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
528pF @ 15V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
900mW
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
FDS4953CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS4935BZ
仓库库存编号:
FDS4935BZCT-ND
别名:FDS4935BZCT
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4953DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4953DCS RLGCT-ND
别名:TSM4953DCS RLGCT
无铅
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 PowerTrench?
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
供应商器件封装 8-SO
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 5A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 5A,10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 528pF @ 15V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 30V
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功率 - 最大值 900mW
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 900mW
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