FDS8896,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDS8896
FDS8896 -
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDS8896
仓库库存编号:
FDS8896CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDS8896产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
67nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2525pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
FDS8896
标准包装
1
其它名称
FDS8896CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:445-1565-1
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型号:
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仓库库存编号:
AD5272BRMZ-20-RL7CT-ND
别名:AD5272BRMZ-20-RL7CT
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型号:
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TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
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仓库库存编号:
RN1306LFCT-ND
别名:RN1306LFCT
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型号:
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仓库库存编号:
846-1187-1-ND
别名:846-1187-1
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 30V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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