FDY101PZ,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDY101PZ
FDY101PZ -
MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDY101PZ
仓库库存编号:
FDY101PZCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDY101PZ产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-89,SOT-490
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-89-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 欧姆 @ 150mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
150mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
100pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
625mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
FDY101PZ
标准包装
1
其它名称
FDY101PZCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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IC MOSFET DRIVER BUCK DUAL QFN
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型号:
NCP81062MNTWG
仓库库存编号:
NCP81062MNTWGOSCT-ND
别名:NCP81062MNTWGOSCT
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LUXEON 2835C 3V 4000K 80CRI
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型号:
L128-4080CA3500001
仓库库存编号:
1416-1924-1-ND
别名:1416-1924-1
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
DMTH6009LPS-13DICT-ND
别名:DMTH6009LPS-13DICT
无铅
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Diodes Incorporated
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型号:
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仓库库存编号:
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Lumileds
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详细描述:LED Lighting LUXEON 3030 HV White, Warm 2700K 48V 17mA 116° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad
型号:
L130-27800CHV00001
仓库库存编号:
1416-1986-1-ND
别名:1416-1986-1
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 10V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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