FGA25N120ANTDTU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FGA25N120ANTDTU - 

IGBT 1200V 50A 312W TO3P

Fairchild/ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FGA25N120ANTDTU
仓库库存编号：
FGA25N120ANTDTU-ND
描述：
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FGA25N120ANTDTU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3，SC-65-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3P  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  350ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  312W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  50A  
  测试条件  600V，25A，10 欧姆，15V  
  开关能量  4.1mJ（开），960μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  90A  
  IGBT 类型  NPT 和沟道  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.65V @ 15V，50A  
  25°C 时 Td（开/关）值  50ns/190ns  
  栅极电荷  200nC  
关键词         

产品资料
数据列表 FGA25N120ANTDTU
标准包装 30
其它名称 FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND

FGA25N120ANTDTU您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

FGA25N120ANTDTU相关搜索

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 350ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 350ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 350ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 350ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 312W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 312W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 312W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 312W   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V   开关能量 4.1mJ（开），960μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 4.1mJ（开），960μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.1mJ（开），960μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.1mJ（开），960μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A   IGBT 类型 NPT 和沟道  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 NPT 和沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 和沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 和沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.65V @ 15V，50A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.65V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.65V @ 15V，50A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.65V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 50ns/190ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 50ns/190ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 50ns/190ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 50ns/190ns   栅极电荷 200nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 200nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 200nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 200nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号