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FGA40N65SMD
FGA40N65SMD -
IGBT 650V 80A 349W TO3P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGA40N65SMD
仓库库存编号:
FGA40N65SMDFS-ND
描述:
IGBT 650V 80A 349W TO3P
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGA40N65SMD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3PN
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
42ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
349W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
400V,40A,6 欧姆,15V
开关能量
820μJ(开),260μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/92ns
栅极电荷
119nC
关键词
产品资料
数据列表
FGA40N65SMD
标准包装
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其它名称
FGA40N65SMD-ND
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封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-3PN
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-3PN
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN
输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 42ns
Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间(trr) 42ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 42ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 42ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Power - Max 349W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 349W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 349W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 349W
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 80A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A
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测试条件 400V,40A,6 欧姆,15V
Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 400V,40A,6 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,40A,6 欧姆,15V
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开关能量 820μJ(开),260μJ(关)
Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 820μJ(开),260μJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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IGBT 类型 场截止
Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 场截止
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 场截止
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,40A
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,40A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,40A
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25°C 时 Td(开/关)值 12ns/92ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 12ns/92ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 12ns/92ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 12ns/92ns
栅极电荷 119nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 119nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 119nC
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