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FGA40T65SHD
FGA40T65SHD -
IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGA40T65SHD
仓库库存编号:
FGA40T65SHD-ND
描述:
IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGA40T65SHD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3PN
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
31.8ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
268W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
400V,40A,6 欧姆,15V
开关能量
1.01mJ(开),297μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
19.2ns/65.6ns
栅极电荷
72.2nC
关键词
产品资料
数据列表
FGA40T65SHD
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA40T65SHDF
仓库库存编号:
FGA40T65SHDF-ND
无铅
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安装类型 通孔
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包装 管件
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25°C 时 Td(开/关)值 19.2ns/65.6ns
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栅极电荷 72.2nC
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