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FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU -
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGA50N100BNTDTU
仓库库存编号:
FGA50N100BNTDTU-ND
描述:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3P
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGA50N100BNTDTU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3P
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
1.5μs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000V
Power - Max
156W
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
测试条件
-
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
100A
IGBT 类型
NPT 和沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.9V @ 15V,60A
25°C 时 Td(开/关)值
-
栅极电荷
275nC
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数据列表
FGA50N100BNTD
标准包装
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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输入类型 标准
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Power - Max 156W
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栅极电荷 275nC
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