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FGA60N65SMD - 

IGBT 650V 120A 600W TO3P

Fairchild/ON Semiconductor FGA60N65SMD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FGA60N65SMD
仓库库存编号：
FGA60N65SMDFS-ND
描述：
IGBT 650V 120A 600W TO3P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FGA60N65SMD产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3，SC-65-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3PN  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  47ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  600W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  120A  
  测试条件  400V，60A，3 欧姆，15V  
  开关能量  1.54mJ（开），450μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  180A  
  IGBT 类型  场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.5V @ 15V，60A  
  25°C 时 Td（开/关）值  18ns/104ns  
  栅极电荷  189nC  
关键词         

产品资料
数据列表 FGA60N65SMD
标准包装 30
其它名称 FGA60N65SMD-ND

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