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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3PN
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Power - Max	201W
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	160A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.5V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	125nC
关键词

产品资料

标准包装	30

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3PN  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-3PN  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V   Power - Max 201W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 201W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 201W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 201W   测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A   IGBT 类型 沟道  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，20A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，20A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 125nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 125nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 125nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 125nC