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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	D2PAK（TO-263）
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	111ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	208W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	400V，20A，10 欧姆，15V
开关能量	310μJ（开），130μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	60A
IGBT 类型	场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.85V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	10ns/90ns
栅极电荷	63nC
关键词

产品资料

数据列表	FGB20N60SFD_F085
标准包装	1
其它名称	FGB20N60SFD_F085CT

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  Fairchild/ON Semiconductor 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK（TO-263）  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK（TO-263）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK（TO-263）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK（TO-263）   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 111ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 111ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 111ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 111ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 208W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 208W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 208W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 208W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 310μJ（开），130μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 310μJ（开），130μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 310μJ（开），130μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 310μJ（开），130μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A   IGBT 类型 场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.85V @ 15V，20A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.85V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.85V @ 15V，20A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.85V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns   栅极电荷 63nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 63nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 63nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 63nC