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产品规格

封装/外壳	TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	EcoSPARK?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-263-6
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	430V
Power - Max	150W
Current - Collector (Ic) (Max)	21A
测试条件	300V，1 千欧，5V
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.6V @ 4V，6A
25°C 时 Td（开/关）值	-/4.7μs
栅极电荷	15nC
关键词

产品资料

数据列表	FGB3040CS
标准包装	1
其它名称	FGB3040CSCT

封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 EcoSPARK?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 EcoSPARK?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-263-6  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-263-6  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263-6  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263-6   输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V   Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W   Current - Collector (Ic) (Max) 21A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 21A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 21A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 21A   测试条件 300V，1 千欧，5V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V，1 千欧，5V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1 千欧，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1 千欧，5V   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 -/4.7μs  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -/4.7μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/4.7μs  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/4.7μs   栅极电荷 15nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 15nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 15nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 15nC