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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	TO-252
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250V
Power - Max	150W
Current - Collector (Ic) (Max)	41A
测试条件	-
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.25V @ 4V，6A
25°C 时 Td（开/关）值	800ns/5.1μs
栅极电荷	21nC
关键词

产品资料

数据列表	FGD3325G2_F085
标准包装	1
其它名称	FGD3325G2_F085CT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 TO-252  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-252  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252   输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V   Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W   Current - Collector (Ic) (Max) 41A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 41A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 41A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 41A   测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 800ns/5.1μs  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 800ns/5.1μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 800ns/5.1μs  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 800ns/5.1μs   栅极电荷 21nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 21nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 21nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 21nC