FGD3440G2_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
FGD3440G2_F085
FGD3440G2_F085 -
IGBT 400V 26.9A 166W DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGD3440G2_F085
仓库库存编号:
FGD3440G2_F085CT-ND
描述:
IGBT 400V 26.9A 166W DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 400V 26.9A 166W Surface Mount TO-252AA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FGD3440G2_F085产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-252AA
输入类型
逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
166W
Current - Collector (Ic) (Max)
26.9A
测试条件
300V,6.5A,1 千欧,5V
开关能量
-
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.2V @ 4V,6A
25°C 时 Td(开/关)值
-/5.3μs
栅极电荷
24nC
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
FGD3440G2_F085CT
FGD3440G2_F085您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 430V 21A 150W TO252AA
详细描述:IGBT 430V 21A 150W Surface Mount TO-252AA
型号:
ISL9V3040D3ST
仓库库存编号:
ISL9V3040D3STCT-ND
别名:ISL9V3040D3ST_NLCT
ISL9V3040D3ST_NLCT-ND
ISL9V3040D3STCT
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
详细描述:IGBT 425V 40A 200W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB20NB37LZT4
仓库库存编号:
497-6567-1-ND
别名:497-6567-1
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 130W TO220
详细描述:IGBT 600V 40A 130W Through Hole TO-220
型号:
STGP19NC60HD
仓库库存编号:
497-8809-5-ND
别名:497-8809-5
STGP19NC60HD-ND
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
IGBT 440V 20A 125W DPAK
详细描述:IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号:
NGD8201ANT4G
仓库库存编号:
NGD8201ANT4GOSCT-ND
别名:NGD8201ANT4GOSCT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
ECOSPARK2-450V IGNITION IGBT
详细描述:IGBT 450V 23A 150W Surface Mount TO-252AA
型号:
FGD3245G2_F085
仓库库存编号:
FGD3245G2_F085CT-ND
别名:FGD3245G2_F085CT
无铅
搜索
FGD3440G2_F085相关搜索
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-252AA
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-252AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA
输入类型 逻辑
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Power - Max 166W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 166W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 166W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 166W
Current - Collector (Ic) (Max) 26.9A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 26.9A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 26.9A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 26.9A
测试条件 300V,6.5A,1 千欧,5V
Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V,6.5A,1 千欧,5V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,6.5A,1 千欧,5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,6.5A,1 千欧,5V
开关能量 -
Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
IGBT 类型 -
Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.2V @ 4V,6A
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.2V @ 4V,6A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.2V @ 4V,6A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.2V @ 4V,6A
25°C 时 Td(开/关)值 -/5.3μs
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 -/5.3μs
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/5.3μs
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/5.3μs
栅极电荷 24nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 24nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 24nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 24nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号