FGD3N60UNDF,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF -
IGBT 600V 6A 60W DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGD3N60UNDF
仓库库存编号:
FGD3N60UNDFCT-ND
描述:
IGBT 600V 6A 60W DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGD3N60UNDF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
21ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
60W
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
测试条件
400V,3A,10 欧姆,15V
开关能量
52μJ(开),30μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
9A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.52V @ 15V,3A
25°C 时 Td(开/关)值
5.5ns/22ns
栅极电荷
1.6nC
关键词
产品资料
数据列表
FGD3N60UNDF
标准包装
1
其它名称
FGD3N60UNDFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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