FGD5T120SH,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FGD5T120SH - 

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

Fairchild/ON Semiconductor FGD5T120SH
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FGD5T120SH
仓库库存编号：
FGD5T120SHCT-ND
描述：
IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 10A 69W Surface Mount DPAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FGD5T120SH产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  69W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  10A  
  测试条件  600V，5A，30 欧姆，15V  
  开关能量  247μJ（开），94μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  12.5A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  3.6V @ 15V，5A  
  25°C 时 Td（开/关）值  4.8ns/24.8ns  
  栅极电荷  6.7nC  
关键词         

产品资料
数据列表 FGD5T120SH Datasheet
RoHS指令信息 FGD5T120SH Material Declaration
FGD5T120SH Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 FGD5T120SHCT

FGD5T120SH您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

FGD5T120SH相关搜索

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 69W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 69W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 69W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 69W   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   测试条件 600V，5A，30 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 600V，5A，30 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，5A，30 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，5A，30 欧姆，15V   开关能量 247μJ（开），94μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 247μJ（开），94μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 247μJ（开），94μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 247μJ（开），94μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 12.5A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 12.5A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 12.5A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 12.5A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，5A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，5A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，5A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，5A   25°C 时 Td（开/关）值 4.8ns/24.8ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 4.8ns/24.8ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 4.8ns/24.8ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 4.8ns/24.8ns   栅极电荷 6.7nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 6.7nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 6.7nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 6.7nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号