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FGH40T65UPD
FGH40T65UPD -
IGBT 650V 80A 268W TO-247AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGH40T65UPD
仓库库存编号:
FGH40T65UPD-ND
描述:
IGBT 650V 80A 268W TO-247AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGH40T65UPD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
43ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
268W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
400V,40A,7 欧姆,15V
开关能量
1.59mJ(开),580μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.3V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/144ns
栅极电荷
177nC
关键词
产品资料
数据列表
FGH40T65UPD
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 238W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 238W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA4060ADF
仓库库存编号:
FGA4060ADF-ND
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247-3
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输入类型 标准
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栅极电荷 177nC
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