FGH50T65UPD,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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FGH50T65UPD
FGH50T65UPD -
IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
当零件存货耗尽后,该零件将成为非库存货;此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGH50T65UPD
仓库库存编号:
FGH50T65UPD-ND
描述:
IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 650V 100A 340W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGH50T65UPD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
53ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
340W
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
测试条件
400V,50A,6 欧姆,15V
开关能量
2.7mJ(开),740μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.3V @ 15V,50A
25°C 时 Td(开/关)值
32ns/160ns
栅极电荷
230nC
关键词
产品资料
数据列表
FGH50T65UPD
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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IGBT 600V 80A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 333W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N60T
仓库库存编号:
IKW50N60T-ND
别名:IKW50N60TFKSA1
SP000054888
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 100A 333W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N60H3FKSA1
仓库库存编号:
IKW50N60H3FKSA1-ND
别名:IKW50N60H3
IKW50N60H3-ND
SP000852244
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 319W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA50T65SHD
仓库库存编号:
FGA50T65SHD-ND
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 319.2W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 319.2W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N60DTPXKSA1
仓库库存编号:
IKW50N60DTPXKSA1-ND
别名:SP001379678
无铅
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封装/外壳 TO-247-3
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247
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IGBT 类型 沟槽型场截止
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.3V @ 15V,50A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.3V @ 15V,50A
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25°C 时 Td(开/关)值 32ns/160ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 32ns/160ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 32ns/160ns
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栅极电荷 230nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 230nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 230nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 230nC
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