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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	85ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	375W
Current - Collector (Ic) (Max)	150A
测试条件	400V，75A，3 欧姆，15V
开关能量	2.85mJ（开），1.2mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	225A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.3V @ 15V，75A
25°C 时 Td（开/关）值	32ns/166ns
栅极电荷	385nC
关键词

产品资料

数据列表	FGH75T65UPD
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 85ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 85ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 85ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 85ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 375W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 375W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 375W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 375W   Current - Collector (Ic) (Max) 150A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150A   测试条件 400V，75A，3 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 400V，75A，3 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，75A，3 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，75A，3 欧姆，15V   开关能量 2.85mJ（开），1.2mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 2.85mJ（开），1.2mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.85mJ（开），1.2mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.85mJ（开），1.2mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 225A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 225A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 225A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 225A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，75A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，75A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，75A   25°C 时 Td（开/关）值 32ns/166ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 32ns/166ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 32ns/166ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 32ns/166ns   栅极电荷 385nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 385nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 385nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 385nC