FGI3040G2_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
FGI3040G2_F085
FGI3040G2_F085 -
ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGI3040G2_F085
仓库库存编号:
FGI3040G2_F085-ND
描述:
ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 400V 41A 150W Through Hole TO-262AA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FGI3040G2_F085产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-262AA
输入类型
逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
150W
Current - Collector (Ic) (Max)
41A
测试条件
-
开关能量
-
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.25V @ 4V,6A
25°C 时 Td(开/关)值
900ns/4.8μs
栅极电荷
21nC
关键词
产品资料
数据列表
FG(B,D,I,P)3040G2_F085
标准包装
50
FGI3040G2_F085您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
详细描述:IGBT 400V 26.9A 166W Through Hole TO-220AB
型号:
FGP3440G2_F085
仓库库存编号:
FGP3440G2_F085-ND
无铅
搜索
FGI3040G2_F085相关搜索
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-262AA
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-262AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-262AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-262AA
输入类型 逻辑
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Power - Max 150W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 150W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 150W
Current - Collector (Ic) (Max) 41A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 41A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 41A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 41A
测试条件 -
Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -
开关能量 -
Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
IGBT 类型 -
Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
25°C 时 Td(开/关)值 900ns/4.8μs
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 900ns/4.8μs
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 900ns/4.8μs
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 900ns/4.8μs
栅极电荷 21nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 21nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 21nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 21nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号