关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-264-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	337ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	368W
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
测试条件	600V，35A，10 欧姆，15V
开关能量	2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	105A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，35A
25°C 时 Td（开/关）值	34ns/172ns
栅极电荷	210nC
关键词

产品资料

数据列表	FGL35N120FTD
标准包装	25

封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-264-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-264-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264-3   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 337ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 337ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 337ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 337ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 368W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 368W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 368W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 368W   Current - Collector (Ic) (Max) 70A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 70A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 70A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 70A   测试条件 600V，35A，10 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 600V，35A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，35A，10 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，35A，10 欧姆，15V   开关能量 2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 105A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 105A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 105A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 105A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，35A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，35A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，35A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，35A   25°C 时 Td（开/关）值 34ns/172ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 34ns/172ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 34ns/172ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 34ns/172ns   栅极电荷 210nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 210nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 210nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 210nC