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FGL40N120ANTU
FGL40N120ANTU -
IGBT 1200V 64A 500W TO264
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGL40N120ANTU
仓库库存编号:
FGL40N120ANTU-ND
描述:
IGBT 1200V 64A 500W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGL40N120ANTU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-264
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
500W
Current - Collector (Ic) (Max)
64A
测试条件
600V,40A,5 欧姆,15V
开关能量
2.3mJ(开),1.1mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.2V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/110ns
栅极电荷
220nC
关键词
产品资料
标准包装
25
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封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
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Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 TO-264
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-264
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264
输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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Power - Max 500W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 500W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 500W
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Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 64A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 64A
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测试条件 600V,40A,5 欧姆,15V
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开关能量 2.3mJ(开),1.1mJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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IGBT 类型 NPT
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.2V @ 15V,40A
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25°C 时 Td(开/关)值 15ns/110ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/110ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/110ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/110ns
栅极电荷 220nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 220nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 220nC
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