FGL60N100BNTD,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD -
IGBT 1000V 60A 180W TO264
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGL60N100BNTD
仓库库存编号:
FGL60N100BNTDFS-ND
描述:
IGBT 1000V 60A 180W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FGL60N100BNTD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-264
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
1.2μs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000V
Power - Max
180W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
600V,60A,51 欧姆,15V
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
NPT 和沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.9V @ 15V,60A
25°C 时 Td(开/关)值
140ns/630ns
栅极电荷
275nC
关键词
产品资料
数据列表
FGL60N100BNTD
标准包装
25
其它名称
FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
FGL60N100BNTD您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP260NPBF
仓库库存编号:
IRFP260NPBF-ND
别名:*IRFP260NPBF
64-6005PBF
64-6005PBF-ND
SP001552016
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UDPBF-ND
别名:*IRG4PH50UDPBF
SP001542126
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 64A 500W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
型号:
FGL40N120ANDTU
仓库库存编号:
FGL40N120ANDTU-ND
别名:FGL40N120ANDTU_NL
FGL40N120ANDTU_NL-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
详细描述:标准 通孔 二极管 30A TO-220AC
型号:
RHRP30120
仓库库存编号:
RHRP30120-ND
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 75A 480W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N120T2
仓库库存编号:
IKW40N120T2-ND
别名:IKW40N120T2FKSA1
SP000244962
无铅
搜索
FGL60N100BNTD相关搜索
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 TO-264
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-264
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264
输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 1.2μs
Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间(trr) 1.2μs
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 1.2μs
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 1.2μs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Power - Max 180W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 180W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 180W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 180W
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 60A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A
测试条件 600V,60A,51 欧姆,15V
Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 600V,60A,51 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,60A,51 欧姆,15V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,60A,51 欧姆,15V
开关能量 -
Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
IGBT 类型 NPT 和沟道
Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 NPT 和沟道
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 和沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 和沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.9V @ 15V,60A
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.9V @ 15V,60A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.9V @ 15V,60A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.9V @ 15V,60A
25°C 时 Td(开/关)值 140ns/630ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 140ns/630ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 140ns/630ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 140ns/630ns
栅极电荷 275nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 275nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 275nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 275nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号