FGP3040G2_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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FGP3040G2_F085
FGP3040G2_F085 -
ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGP3040G2_F085
仓库库存编号:
FGP3040G2_F085-ND
描述:
ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 400V 41A 150W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGP3040G2_F085产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级, AEC-Q101, EcoSPARK?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
输入类型
逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
150W
Current - Collector (Ic) (Max)
41A
测试条件
-
开关能量
-
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.25V @ 4V,6A
25°C 时 Td(开/关)值
900ns/4.8μs
栅极电荷
21nC
关键词
产品资料
数据列表
FG(B,D,I,P)3040G2_F085
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 430V 21A 150W TO220AB
详细描述:IGBT 430V 21A 150W Through Hole TO-220AB
型号:
ISL9V3040P3
仓库库存编号:
ISL9V3040P3-ND
别名:ISL9V3040P3_NL
ISL9V3040P3_NL-ND
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详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 2W Through Hole TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
TIP42CGOS-ND
别名:TIP42CGOS
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:UF5401-E3/54GICT
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Fairchild/ON Semiconductor
ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
详细描述:IGBT 400V 26.9A 166W Through Hole TO-220AB
型号:
FGP3440G2_F085
仓库库存编号:
FGP3440G2_F085-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
ECOSPARK2-450V IGNITION IGBT
详细描述:IGBT 450V 23A 150W Surface Mount TO-252AA
型号:
FGD3245G2_F085
仓库库存编号:
FGD3245G2_F085CT-ND
别名:FGD3245G2_F085CT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
25°C 时 Td(开/关)值 900ns/4.8μs
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栅极电荷 21nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 21nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 21nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 21nC
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