FGPF30N30TDTU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FGPF30N30TDTU - 

IGBT 300V 44.6W TO220F

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FGPF30N30TDTU
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FGPF30N30TDTU
仓库库存编号:
FGPF30N30TDTU-ND
描述:
IGBT 300V 44.6W TO220F
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 300V 44.6W Through Hole TO-220F
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FGPF30N30TDTU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-220F  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间(trr)  22ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  300V  
  Power - Max  44.6W  
  测试条件  200V,20A,20 欧姆,15V  
  开关能量  -  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  80A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.5V @ 15V,10A  
  25°C 时 Td(开/关)值  22ns/130ns  
  栅极电荷  65nC  
关键词         

产品资料
标准包装 50

FGPF30N30TDTU相关搜索

封装/外壳 TO-220-3 整包  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220F  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220F  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间(trr) 22ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间(trr) 22ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 22ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 22ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V   Power - Max 44.6W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 44.6W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 44.6W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 44.6W   测试条件 200V,20A,20 欧姆,15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 200V,20A,20 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 200V,20A,20 欧姆,15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 200V,20A,20 欧姆,15V   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 80A   IGBT 类型 沟道  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.5V @ 15V,10A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.5V @ 15V,10A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.5V @ 15V,10A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.5V @ 15V,10A   25°C 时 Td(开/关)值 22ns/130ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/130ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/130ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/130ns   栅极电荷 65nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 65nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 65nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 65nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号