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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220F
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	30W
测试条件	400V，30A，5 欧姆，15V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	170A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.88V @ 15V，30A
25°C 时 Td（开/关）值	11.2ns/40.8ns
栅极电荷	40.3nC
关键词

产品资料

数据列表	FGPF4565
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3 整包  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220F  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220F  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 30W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 30W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 30W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 30W   测试条件 400V，30A，5 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 400V，30A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，30A，5 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，30A，5 欧姆，15V   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 170A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 170A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 170A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 170A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.88V @ 15V，30A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.88V @ 15V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.88V @ 15V，30A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.88V @ 15V，30A   25°C 时 Td（开/关）值 11.2ns/40.8ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 11.2ns/40.8ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 11.2ns/40.8ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 11.2ns/40.8ns   栅极电荷 40.3nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 40.3nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 40.3nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 40.3nC