FGY40T120SMD,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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FGY40T120SMD
FGY40T120SMD -
IGBT 1200V 80A TO-247
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGY40T120SMD
仓库库存编号:
FGY40T120SMD-ND
描述:
IGBT 1200V 80A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 882W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGY40T120SMD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
65ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
882W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
600V,40A,10 欧姆,15V
开关能量
2.7mJ(开),1.1mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.4V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/475ns
栅极电荷
370nC
关键词
产品资料
数据列表
FGY40T120SMD
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 150A 750W POWER-247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
型号:
FGY75N60SMD
仓库库存编号:
FGY75N60SMDFS-ND
别名:FGY75N60SMD-ND
FGY75N60SMDFS
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
FGH15T120SMD_F155
仓库库存编号:
FGH15T120SMD_F155-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 555W Through Hole TO-247
型号:
FGH40T120SMD_F155
仓库库存编号:
FGH40T120SMD_F155-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 555W Through Hole TO-247-4L
型号:
FGH40T120SMDL4
仓库库存编号:
FGH40T120SMDL4-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1500V 60A TO-247
详细描述:IGBT 1500V 60A 500W Through Hole TO-247
型号:
FGH30S150P
仓库库存编号:
FGH30S150P-ND
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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包装 管件
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
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25°C 时 Td(开/关)值 40ns/475ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/475ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/475ns
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栅极电荷 370nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 370nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 370nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 370nC
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