FGY75N60SMD,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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FGY75N60SMD
FGY75N60SMD -
IGBT 600V 150A 750W POWER-247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FGY75N60SMD
仓库库存编号:
FGY75N60SMDFS-ND
描述:
IGBT 600V 150A 750W POWER-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FGY75N60SMD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3 裸露焊盘
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerTO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
55ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
750W
Current - Collector (Ic) (Max)
150A
测试条件
400V,75A,3 欧姆,15V
开关能量
2.3mJ(开),770μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
225A
IGBT 类型
场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,75A
25°C 时 Td(开/关)值
24ns/136ns
栅极电荷
248nC
关键词
产品资料
数据列表
FGY75N60SMD
标准包装
30
其它名称
FGY75N60SMD-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
VS-40CPQ060PBF
仓库库存编号:
40CPQ060PBF-ND
别名:*40CPQ060PBF
40CPQ060PBF
VS-40CPQ060PBF-ND
VS40CPQ060PBF
VS40CPQ060PBF-ND
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型号:
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仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
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型号:
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仓库库存编号:
497-12116-ND
别名:497-12116
无铅
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IXYS
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
详细描述:IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH80N65B4H1
仓库库存编号:
IXXH80N65B4H1-ND
别名:629411
无铅
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A
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栅极电荷 248nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 248nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 248nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 248nC
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