FJN3308RBU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FJN3308RBU - 

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FJN3308RBU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FJN3308RBU
仓库库存编号：
FJN3308RBU-ND
描述：
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FJN3308RBU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  56 @ 5mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  300mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，10mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  47k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  22k  
关键词         

产品资料
标准包装 1,000

FJN3308RBU相关搜索

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 散装   Fairchild/ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 散装   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 散装    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN - 预偏压  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Fairchild/ON Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  Fairchild/ON Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号