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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	33 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
关键词

产品资料

标准包装	1,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 散装   Fairchild/ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 散装   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 散装    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN - 预偏压  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 33 @ 10mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 33 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 33 @ 10mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 33 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Fairchild/ON Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Fairchild/ON Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k