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FJN598JBBU
FJN598JBBU -
JFET N-CH 20V 0.15W TO92
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FJN598JBBU
仓库库存编号:
FJN598JBBU-ND
描述:
JFET N-CH 20V 0.15W TO92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 20V 1mA 150mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FJN598JBBU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3.5pF @ 5V
Power - Max
150mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
100μA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
600mV @ 1μA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
20V
电阻 - RDS(开)
-
漏极电流(Id) - 最大值
1mA
关键词
产品资料
标准包装
1,000
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
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包装 散装
Fairchild/ON Semiconductor 包装 散装
晶体管 - JFET 包装 散装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 散装
零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.5pF @ 5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.5pF @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.5pF @ 5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.5pF @ 5V
Power - Max 150mW
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150mW
晶体管 - JFET Power - Max 150mW
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 150mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1μA
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电压 - 击穿(V(BR)GSS) 20V
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漏极电流(Id) - 最大值 1mA
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晶体管 - JFET 漏极电流(Id) - 最大值 1mA
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