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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SuperSOT?-6
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	200mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
功率 - 最大值	700mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	160V
关键词

产品资料

数据列表	FMBM5551
PCN 封装	Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装	3,000

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SuperSOT?-6  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SuperSOT?-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SuperSOT?-6  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SuperSOT?-6   晶体管类型 2 NPN（双）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz   功率 - 最大值 700mW  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 700mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 700mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 700mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 160V  Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 160V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 160V