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FMG2G50US120
FMG2G50US120 -
IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FMG2G50US120
仓库库存编号:
FMG2G50US120-ND
描述:
IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Half Bridge 1200V 50A 320W Chassis Mount 7PM-GA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FMG2G50US120产品属性
产品规格
封装/外壳
7PM-GA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
过期
供应商器件封装
7PM-GA
输入
标准
配置
半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
320W
电流 - 集电极截止(最大值)
3mA
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3V @ 15V,50A
NTC 热敏电阻
无
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
-
关键词
产品资料
标准包装
15
其它名称
FMG2G50US120_NL
FMG2G50US120_NL-ND
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封装/外壳 7PM-GA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 7PM-GA
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 7PM-GA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 7PM-GA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 底座安装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
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供应商器件封装 7PM-GA
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 7PM-GA
晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 7PM-GA
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输入 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入 标准
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配置 半桥
Fairchild/ON Semiconductor 配置 半桥
晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 320W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 320W
晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 320W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 320W
电流 - 集电极截止(最大值) 3mA
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 3mA
晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 3mA
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Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50A
晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 50A
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IGBT 类型 -
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晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,50A
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NTC 热敏电阻 无
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不同?Vce 时的输入电容(Cies) -
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