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产品规格

封装/外壳	25PM-AA
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	25PM-AA
输入	三相桥式整流器
配置	三相反相器
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	89W
电流 - 集电极截止（最大值）	250μA
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，20A
NTC 热敏电阻	是
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	1.277nF @ 30V
关键词

产品资料

标准包装	30

封装/外壳 25PM-AA  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 25PM-AA  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 25PM-AA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 25PM-AA   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 底座安装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 25PM-AA  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 25PM-AA  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 25PM-AA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 25PM-AA   输入 三相桥式整流器  Fairchild/ON Semiconductor 输入 三相桥式整流器  晶体管 - IGBT - 模块 输入 三相桥式整流器  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 输入 三相桥式整流器   配置 三相反相器  Fairchild/ON Semiconductor 配置 三相反相器  晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 89W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 89W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 89W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 89W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，20A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，20A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，20A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，20A   NTC 热敏电阻 是  Fairchild/ON Semiconductor NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.277nF @ 30V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.277nF @ 30V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.277nF @ 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.277nF @ 30V