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产品规格

封装/外壳	EPM7
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 125°C （TJ）
系列	Power-SPM??
零件状态	过期
供应商器件封装	EPM7
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	250W
电流 - 集电极截止（最大值）	250μA
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.8V @ 15V，50A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	2.92nF @ 30V
关键词

产品资料

标准包装	5

封装/外壳 EPM7  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 EPM7  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 EPM7  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 EPM7   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 底座安装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）   系列 Power-SPM??  Fairchild/ON Semiconductor 系列 Power-SPM??  晶体管 - IGBT - 模块 系列 Power-SPM??  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 系列 Power-SPM??   零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 EPM7  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 EPM7  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 EPM7  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 EPM7   输入 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Fairchild/ON Semiconductor 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 250W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 250W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 250W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 250W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，50A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，50A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，50A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，50A   NTC 热敏电阻 无  Fairchild/ON Semiconductor NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.92nF @ 30V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.92nF @ 30V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.92nF @ 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.92nF @ 30V