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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	F2
输入	标准
配置	3 个独立式
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	156W
电流 - 集电极截止（最大值）	250μA
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
IGBT 类型	场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，40A
NTC 热敏电阻	是
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	-
关键词

产品资料

数据列表	FPF2G120BF07ASP
标准包装	14

封装/外壳 模块  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 F2  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 F2  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 F2  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 F2   输入 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 3 个独立式  Fairchild/ON Semiconductor 配置 3 个独立式  晶体管 - IGBT - 模块 配置 3 个独立式  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 配置 3 个独立式   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 156W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 156W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 156W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 156W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   IGBT 类型 场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 场截止  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，40A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，40A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，40A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，40A   NTC 热敏电阻 是  Fairchild/ON Semiconductor NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -