FQB33N10TM,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
FQB33N10TM
FQB33N10TM -
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQB33N10TM
仓库库存编号:
FQB33N10TMCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FQB33N10TM产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
QFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK(TO-263AB)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
51nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
52 毫欧 @ 16.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
33A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3.75W(Ta),127W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
FQB33N10, FQI33N10
标准包装
1
其它名称
FQB33N10TMCT
FQB33N10TM相关搜索
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 QFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±25V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 16.5A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 16.5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 16.5A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 16.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),127W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),127W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),127W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),127W(Tc)
漏源电压(Vdss) 100V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号