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FQB34N20LTM - 

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Fairchild/ON Semiconductor FQB34N20LTM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQB34N20LTM
仓库库存编号：
FQB34N20LTMCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FQB34N20LTM产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  QFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK（TO-263AB）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  72nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  75 毫欧 @ 15.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  31A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3900pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  3.13W（Ta），180W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQB34N20L, FQI34N20L
标准包装 1
其它名称 FQB34N20LTM-ND
FQB34N20LTMCT

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