FQB7P20TM,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FQB7P20TM
FQB7P20TM -
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQB7P20TM
仓库库存编号:
FQB7P20TMCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 7.3A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FQB7P20TM产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
QFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK(TO-263AB)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
25nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
690 毫欧 @ 3.65A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.3A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
770pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3.13W(Ta),90W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
FQB7P20, FQI7P20
标准包装
1
其它名称
FQB7P20TMCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM
仓库库存编号:
FQD5P20TMCT-ND
别名:FQD5P20TMCT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P20TM
仓库库存编号:
FQD7P20TMCT-ND
别名:FQD7P20TMCT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 670mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT3P20TF
仓库库存编号:
FQT3P20TFCT-ND
别名:FQT3P20TFCT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 QFET?
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
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FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),90W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),90W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),90W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),90W(Tc)
漏源电压(Vdss) 200V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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