FQD20N06LTF,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FQD20N06LTF - 

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FQD20N06LTF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQD20N06LTF
仓库库存编号:
FQD20N06LTF-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 17.2A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FQD20N06LTF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  QFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  D-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  13nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  60 毫欧 @ 8.6A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  17.2A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  630pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.5W(Ta),38W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQD20N06L, FQU20N06L
D-PAK Tape and Reel Data
标准包装 2,000

FQD20N06LTF相关搜索

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 QFET?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 QFET?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?   包装 带卷(TR)   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   技术 MOSFET(金属氧化物)  Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 8.6A,10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 8.6A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 8.6A,10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 8.6A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V  Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V   FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.2A(Tc)  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.2A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.2A(Tc)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.2A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 630pF @ 25V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 630pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 630pF @ 25V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 630pF @ 25V   FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA   功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),38W(Tc)  Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),38W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),38W(Tc)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),38W(Tc)   漏源电压(Vdss) 60V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 60V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号