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FQH44N10
FQH44N10 -
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQH44N10
仓库库存编号:
FQH44N10-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 100V 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FQH44N10产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
QFET?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-247
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
62nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
39 毫欧 @ 24A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
48A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1800pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
180W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
标准包装
450
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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包装 管件
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-247
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 180W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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