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FQNL2N50BTA
FQNL2N50BTA -
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQNL2N50BTA
仓库库存编号:
FQNL2N50BTACT-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 350mA(Tc) 1.5W(Tc) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FQNL2N50BTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
QFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5.3 欧姆 @ 175mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
350mA(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
230pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.5W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
关键词
产品资料
数据列表
FQNL2N50B
TO-92L Ammo Tape Data
标准包装
1
其它名称
FQNL2N50BTACT
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 QFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.3 欧姆 @ 175mA,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.3 欧姆 @ 175mA,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 25V
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FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.5W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 1.5W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.5W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.5W(Tc)
漏源电压(Vdss) 500V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 500V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
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