FQP7N80C,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
FQP7N80C
FQP7N80C -
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQP7N80C
仓库库存编号:
FQP7N80C-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FQP7N80C产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
QFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
35nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.6A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1680pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
漏源电压(Vdss)
800V
关键词
产品资料
标准包装
50
FQP7N80C您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
CUI Inc.
CONVERT DC/DC 1W 5V 200MA OUT
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 1 输出 5V 200mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
PDM1-S24-S5-S
仓库库存编号:
102-2719-ND
别名:102-2719
PDM1S24S5S
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2
详细描述:标准 通孔 二极管 40A TO-220-2
型号:
IDP40E65D2XKSA1
仓库库存编号:
IDP40E65D2XKSA1-ND
别名:SP001008324
无铅
搜索
Richtek USA Inc.
IC REG BUCK ADJ 1A SYNC TSOT23-6
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 1A SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
型号:
RT8096CHGJ6
仓库库存编号:
RT8096CHGJ6CT-ND
别名:RT8096CHGJ6CT
无铅
搜索
Schaffner EMC Inc.
CMC 10MH 1.5A 2LN TH
详细描述:10mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.5A DCR 250 mOhm (Typ)
型号:
RN122-1.5-02-10M
仓库库存编号:
817-2127-ND
别名:816510
817-2127
无铅
搜索
FQP7N80C相关搜索
封装/外壳 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 QFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 167W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 167W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 167W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 167W(Tc)
漏源电压(Vdss) 800V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 800V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 800V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 800V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号