FQPF45N15V2,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FQPF45N15V2
FQPF45N15V2 -
MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQPF45N15V2
仓库库存编号:
FQPF45N15V2FS-ND
描述:
MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 45A(Tc) 66W(Tc) TO-220F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FQPF45N15V2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
QFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220F
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
94nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
40 毫欧 @ 22.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
45A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3030pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
66W(Tc)
漏源电压(Vdss)
150V
关键词
产品资料
数据列表
FQP45N15V2, FQPF45N15V2
标准包装
50
其它名称
FQPF45N15V2-ND
FQPF45N15V2FS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
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仓库库存编号:
FQPF19N20C-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 11.6A(Tc) 53W(Tc) TO-220F
型号:
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仓库库存编号:
FQPF16N15-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
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仓库库存编号:
FQPF33N10LFS-ND
别名:FQPF33N10L-ND
FQPF33N10LFS
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF32N20C
仓库库存编号:
FQPF32N20C-ND
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO220AC
详细描述:肖特基 通孔 二极管 20A TO-220AC
型号:
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仓库库存编号:
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别名:497-12295
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 66W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 150V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 150V
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